CTLDM7002A-M621 BK - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CTLDM7002A-M621 BK
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	280mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.592nC @ 4.5V
Vgs (Max)	40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TLM621
Paket / Fall	6-PowerVFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CTLDM7002A-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7002A-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7003-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7003-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7120-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7120-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 1A	Einzelheiten
CTLDM7120-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Einzelheiten
CTLDM7120-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 20V 1A	Einzelheiten
CTLDM7590 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8	Einzelheiten