| Artikelnummer | CMPDM303NH TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Vgs (Max) | 12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23F |
| Paket / Fall | SOT-23-3 Flat Leads |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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CMPDM202PH BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V SOT-23F | Einzelheiten |
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CMPDM303NH BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V SOT-23F | Einzelheiten |
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