CMPDM7002AG BK - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CMPDM7002AG BK
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	280mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.59nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	40V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CMPDM202PH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM202PH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM203NH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM203NH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM302PH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM302PH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM303NH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM303NH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM7002A	CENTRAL	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SURFACE MOUNT MOSFET	Einzelheiten
CMPDM7002AG BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23	Einzelheiten