CMPDM302PH TR - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CMPDM302PH TR
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Vgs (Max)	12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	91 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23F
Paket / Fall	SOT-23-3 Flat Leads
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CMPDM202PH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM202PH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM203NH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM203NH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM302PH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM302PH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM303NH BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM303NH TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F	Einzelheiten
CMPDM7002A	CENTRAL	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SURFACE MOUNT MOSFET	Einzelheiten
CMPDM7002AG BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23	Einzelheiten