CMPDM303NH TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CMPDM303NH TR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 10V
Vgs (Max)	12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23F
Paquet / cas	SOT-23-3 Flat Leads
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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