NE85639-T1-R27-A - CEL

Artikelnummer	NE85639-T1-R27-A
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Gewinnen	13dB
Leistung max	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket	SOT-143
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NE85630-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85630-R24-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85630-R25-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85630-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SOT-323	Einzelheiten
NE85630-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85630-T1-R24-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85630-T1-R25-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Einzelheiten
NE85633-A	CEL	TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23	Einzelheiten
NE85633-R23-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Einzelheiten
NE85633-R24-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Einzelheiten