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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › NE85630-A
NE85630-A

NE85630-A - CEL

Artikelnummer
NE85630-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
RF TRANSISTOR NPN SOT-323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NE85630-A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
NE85630-A.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3977 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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NE85630-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NE85630-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Gewinnen 9dB
Leistung max 150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 7mA, 3V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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