NE851M03-A - CEL

Artikelnummer	NE851M03-A
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	5.5V
Frequenz - Übergang	4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinnen	-
Leistung max	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 1V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NE850R599	NEC	NE850R599 NEC SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
NE851M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363	Einzelheiten
NE851M13-T3	EXSHINE	NECs NPN SILICON TRANSISTOR	Einzelheiten
NE851M13-T3-A	CEL	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD	Einzelheiten
NE851M33-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Einzelheiten
NE851M33-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Einzelheiten
NE85618-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE85618-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE85619-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Einzelheiten
NE85619-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SMD	Einzelheiten