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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › NE851M03-A
NE851M03-A

NE851M03-A - CEL

品番
NE851M03-A
メーカー
CEL
簡単な説明
TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NE851M03-A PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
NE851M03-A.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3720 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NE851M03-A 詳細な説明

品番 NE851M03-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 5.5V
周波数 - 遷移 4.5GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
利得 -
電力 - 最大 200mW
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 100 @ 5mA, 1V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
重量 -
原産国 -

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