NE85639-T1-R27-A

NE85639-T1-R27-A - CEL

Numéro d'article
NE85639-T1-R27-A
Fabricant
CEL
Brève description
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NE85639-T1-R27-A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
NE85639-T1-R27-A.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4100 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour NE85639-T1-R27-A

NE85639-T1-R27-A Description détaillée

Numéro d'article NE85639-T1-R27-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 9GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 13dB
Puissance - Max 200mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-253-4, TO-253AA
Package de périphérique fournisseur SOT-143
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR NE85639-T1-R27-A