NE85630-T1-A - CEL

Numéro d'article	NE85630-T1-A
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	12V
Fréquence - Transition	4.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.2dB @ 1GHz
Gain	9dB
Puissance - Max	150mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 7mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur	SOT-323
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NE850R599	NEC	NE850R599 NEC SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
NE851M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363	Détails
NE851M13-T3	EXSHINE	NECs NPN SILICON TRANSISTOR	Détails
NE851M13-T3-A	CEL	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD	Détails
NE851M33-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Détails
NE851M33-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Détails
NE85618-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Détails
NE85618-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Détails
NE85619-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Détails
NE85619-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SMD	Détails