NE851M33-T3-A

NE851M33-T3-A - CEL

Numéro d'article
NE851M33-T3-A
Fabricant
CEL
Brève description
TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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1 Day
Code de date
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4369 pcs
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NE851M33-T3-A Description détaillée

Numéro d'article NE851M33-T3-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 5.5V
Fréquence - Transition 4.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gain -
Puissance - Max 130mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 1V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur 3-SuperMiniMold (M33)
Poids -
Pays d'origine -

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