NE85630-T1 - CEL

Artikelnummer	NE85630-T1
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinnen	6dB ~ 12dB
Leistung max	150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 7mA, 3V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket	SOT-323
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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