NE85633-T1B - CEL

Artikelnummer	NE85633-T1B
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Gewinnen	9dB
Leistung max	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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