NE85633-T1B - CEL

Numero di parte	NE85633-T1B
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12V
Frequenza - Transizione	7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno	9dB
Potenza - Max	200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NE850R599	NEC	NE850R599 NEC SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
NE851M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363	Dettagli
NE851M13-T3	EXSHINE	NECs NPN SILICON TRANSISTOR	Dettagli
NE851M13-T3-A	CEL	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD	Dettagli
NE851M33-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Dettagli
NE851M33-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	Dettagli
NE85618-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Dettagli
NE85618-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Dettagli
NE85619-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Dettagli
NE85619-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SMD	Dettagli