NE85633-T1B - CEL

номер части	NE85633-T1B
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	12V
Частота - переход	7GHz
Шум (дБ Тип @ f)	1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Усиление	9dB
Мощность - макс.	200mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	SOT-23
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NE850R599	NEC	NE850R599 NEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
NE851M03-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363	подробности
NE851M13-T3	EXSHINE	NECs NPN SILICON TRANSISTOR	подробности
NE851M13-T3-A	CEL	TRANS NPN LOW PRO M13 SMD	подробности
NE851M33-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	подробности
NE851M33-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33	подробности
NE85618-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	подробности
NE85618-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	подробности
NE85619-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	подробности
NE85619-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SMD	подробности