| номер части | BYV30-600PQ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 30A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.55V @ 30A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 75ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 600V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-220-2 |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AC |
| Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | подробности |
|
BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | подробности |
|
BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P | подробности |
|
BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 | подробности |
|
BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F | подробности |
 |
BYV32 | VISHAY | Dual Ultrafast Rectifiers | подробности |
|
BYV32-100 | GE | FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER | подробности |
 |
BYV32-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB | подробности |
|
BYV32-100-XM | SEME-LAB | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS | подробности |
|
BYV32-100-XTM | SEME-LAB | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS | подробности |
