BYV30JT-600PQ - WeEn Semiconductors

номер части	BYV30JT-600PQ
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 30A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	65ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика	TO-3P
Рабочая температура - Соединение	175°C (Max)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BYV30-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC	подробности
BYV30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	подробности
BYV30JT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P	подробности
BYV30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	подробности
BYV30X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	подробности