| Numero di parte | BYV30-600PQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 30A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | Dettagli |
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BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | Dettagli |
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BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P | Dettagli |
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BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 | Dettagli |
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BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F | Dettagli |
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BYV32 | VISHAY | Dual Ultrafast Rectifiers | Dettagli |
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BYV32-100 | GE | FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER | Dettagli |
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BYV32-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB | Dettagli |
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BYV32-100-XM | SEME-LAB | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS | Dettagli |
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BYV32-100-XTM | SEME-LAB | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS | Dettagli |
