BYV30W-600PQ - WeEn Semiconductors

Numero di parte	BYV30W-600PQ
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corrente - Rettificato medio (Io)	30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.55V @ 30A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-2
Temperatura operativa - Giunzione	175°C (Max)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BYV30-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC	Dettagli
BYV30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Dettagli
BYV30JT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P	Dettagli
BYV30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	Dettagli
BYV30X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Dettagli
BYV32	VISHAY	Dual Ultrafast Rectifiers	Dettagli
BYV32-100	GE	FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER	Dettagli
BYV32-100-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB	Dettagli
BYV32-100-XM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Dettagli
BYV32-100-XTM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Dettagli