BYV30W-600PQ - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYV30W-600PQ
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.55V @ 30A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-2
Lieferantengerätepaket	TO-247-2
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYV30-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC	Einzelheiten
BYV30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Einzelheiten
BYV30JT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P	Einzelheiten
BYV30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	Einzelheiten
BYV30X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Einzelheiten
BYV32	VISHAY	Dual Ultrafast Rectifiers	Einzelheiten
BYV32-100	GE	FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER	Einzelheiten
BYV32-100-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB	Einzelheiten
BYV32-100-XM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Einzelheiten
BYV32-100-XTM	SEME-LAB	HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS	Einzelheiten