BYC30B-600PJ - WeEn Semiconductors

номер части	BYC30B-600PJ
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	600V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	2.75V @ 30A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	35ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Рабочая температура - Соединение	175°C (Max)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BYC30-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC	подробности
BYC30-600P,127	WeEn Semiconductors	BYC30-600P/TO-220AC/STANDARD M	подробности
BYC30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	подробности
BYC30DW-600PQ	WeEn Semiconductors	BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR	подробности
BYC30W-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2	подробности
BYC30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	подробности
BYC30W-600PT2Q	WeEn Semiconductors	BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA	подробности
BYC30WT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3	подробности
BYC30X-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	подробности