BYC30B-600PJ - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYC30B-600PJ
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	2.75V @ 30A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYC30-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC	Einzelheiten
BYC30-600P,127	WeEn Semiconductors	BYC30-600P/TO-220AC/STANDARD M	Einzelheiten
BYC30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Einzelheiten
BYC30DW-600PQ	WeEn Semiconductors	BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR	Einzelheiten
BYC30W-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2	Einzelheiten
BYC30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	Einzelheiten
BYC30W-600PT2Q	WeEn Semiconductors	BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA	Einzelheiten
BYC30WT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3	Einzelheiten
BYC30X-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Einzelheiten