BYC30B-600PJ - WeEn Semiconductors

Numero di parte	BYC30B-600PJ
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corrente - Rettificato medio (Io)	30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.75V @ 30A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione	175°C (Max)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BYC30-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC	Dettagli
BYC30-600P,127	WeEn Semiconductors	BYC30-600P/TO-220AC/STANDARD M	Dettagli
BYC30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Dettagli
BYC30DW-600PQ	WeEn Semiconductors	BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR	Dettagli
BYC30W-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2	Dettagli
BYC30W-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2	Dettagli
BYC30W-600PT2Q	WeEn Semiconductors	BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA	Dettagli
BYC30WT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3	Dettagli
BYC30X-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Dettagli