| номер части | VS-GBPC3508W |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 800V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 35A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 2mA @ 800V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-Square, GBPC-W |
| Пакет устройств поставщика | GBPC-W |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | подробности |
|
VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | подробности |
|
VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | подробности |
|
VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | подробности |
|
VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | подробности |
|
VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | подробности |
|
VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | подробности |
 |
VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | подробности |
