VS-1KAB10E - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-1KAB10E
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	100V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	1.2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 1.2A
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 100V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-Square, D-38
Пакет устройств поставщика	D-38
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	подробности
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	подробности
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	подробности
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	подробности
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	подробности
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	подробности
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	подробности