| Artikelnummer | VS-1KAB10E |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.2A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-Square, D-38 |
| Lieferantengerätepaket | D-38 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-100BGQ015HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ030 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ030HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ045HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100MT060WDF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 121A 462W MTP | Einzelheiten |
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VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT | Einzelheiten |
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VS-100MT160P-P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | Einzelheiten |
