VS-100MT060WSP - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-100MT060WSP
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	-
Aufbau	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	107A
Leistung max	403W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.49V @ 15V, 60A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	9.5nF @ 30V
Eingang	Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor	Yes
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	12-MTP Module
Lieferantengerätepaket	MTP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	Einzelheiten
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	Einzelheiten
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	Einzelheiten
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	Einzelheiten
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	Einzelheiten