VS-100MT060WSP - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番	VS-100MT060WSP
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	-
構成	Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	107A
電力 - 最大	403W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.49V @ 15V, 60A
電流 - コレクタ遮断（最大）	100µA
入力容量（Cies）@ Vce	9.5nF @ 30V
入力	Single Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ	Yes
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
パッケージ/ケース	12-MTP Module
サプライヤデバイスパッケージ	MTP
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	詳細
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	詳細
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	詳細
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	詳細
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	詳細
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	詳細
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	詳細
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	詳細
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	詳細
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	詳細