VS-100MT060WSP - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-100MT060WSP
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	107A
Мощность - макс.	403W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.49V @ 15V, 60A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	9.5nF @ 30V
вход	Single Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	12-MTP Module
Пакет устройств поставщика	MTP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-100BGQ015HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ030	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB	подробности
VS-100BGQ030HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ045	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB	подробности
VS-100BGQ045HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB	подробности
VS-100BGQ100	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA	подробности
VS-100BGQ100HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB	подробности
VS-100MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 121A 462W MTP	подробности
VS-100MT060WSP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	подробности
VS-100MT160P-P	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP	подробности