| номер части | V10P6-M3/86A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 60V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4.3A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 590mV @ 10A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1.9mA @ 60V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-277, 3-PowerDFN |
| Пакет устройств поставщика | TO-277A (SMPC) |
| Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | подробности |
|
V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HE3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HE3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | подробности |
|
V10P10HM3/87A | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | подробности |
|
V10P10HM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A | подробности |
