| Numero di parte | V10P6-M3/86A |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 4.3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 590mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.9mA @ 60V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | Dettagli |
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V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Dettagli |
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