SQJA70EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQJA70EP-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	220pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	27W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® SO-8
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQJA70EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8	подробности
SQJA72EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8	подробности
SQJA76EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK SO-8L	подробности