SQJA70EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQJA70EP-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQJA70EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8	Dettagli
SQJA72EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8	Dettagli
SQJA76EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK SO-8L	Dettagli