SQ3419AEEV-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQ3419AEEV-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	61 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	12.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)	±12V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	975pF @ 20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	5W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Упаковка / чехол	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQ3419AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP	подробности
SQ3419EEV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	подробности
SQ3419EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	подробности