SQ3419AEEV-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SQ3419AEEV-T1_GE3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SQ3419AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP	Détails
SQ3419EEV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Détails
SQ3419EV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP	Détails