| номер части | GBL10-M3/51 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 4A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GBL |
| Пакет устройств поставщика | GBL |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GBL10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL | подробности |
 |
GBL10 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL | подробности |
 |
GBL10-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL | подробности |
|
GBL10-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL | подробности |
|
GBL10-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL | подробности |
|
GBL10-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL | подробности |
|
GBL10HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL | подробности |
