GBL10-M3/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	GBL10-M3/51
Stato parte	Active
Tipo diodo	Single Phase
Tecnologia	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Corrente - Rettificato medio (Io)	4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 1000V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	4-SIP, GBL
Pacchetto dispositivo fornitore	GBL
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GBL10	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL	Dettagli
GBL10 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL	Dettagli
GBL10-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL	Dettagli
GBL10-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL	Dettagli
GBL10-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL	Dettagli
GBL10-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL	Dettagli
GBL10HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL	Dettagli