GBL10 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GBL10
Статус детали	Active
Тип диода	Single Phase
Технологии	Standard
Напряжение - Реверс пика (макс.)	1000V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 4A
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 1000V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	4-SIP, GBL
Пакет устройств поставщика	GBL
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB-15000-44	ORIGINAL	GB-15000-44 ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GB-IR333A21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333A21C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333A31BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333A31C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333A51BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333A51C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333B21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333B21C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности
GB-IR333B31BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	подробности