TPW4R50ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TPW4R50ANH,L1Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	92A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	58nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	5200pF @ 50V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 46A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-DSOP Advance
Упаковка / чехол	8-PowerWDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TPW4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP	подробности
	TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP	подробности