TPW4R50ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPW4R50ANH,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	92A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 46A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-DSOP Advance
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPW4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP	Détails
	TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP	Détails