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TPW4R50ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPW4R50ANH,L1Q
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPW4R50ANH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 32610 pcs
参考価格: USD 0.7808/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPW4R50ANH,L1Q 詳細な説明

品番	TPW4R50ANH,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	92A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	58nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5200pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.5 mOhm @ 46A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-DSOP Advance
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	TPW4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP	詳細
	TPW4R50ANH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP	詳細