TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TPH6R30ANL,L1Q
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TPH6R30ANL,L1Q Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
388142 pcs
Справочная цена
USD 0.4242/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q Подробное описание

номер части TPH6R30ANL,L1Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 66A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4300pF @ 50V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Рабочая Температура 150°C
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TPH6R30ANL,L1Q