TPH6R30ANL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPH6R30ANL,L1Q
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TPH6R30ANL,L1Q
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	66A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TPH6R003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP	Detalles
TPH6R004PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Detalles
TPH6R30ANL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Detalles