| 부품 번호 | TPH6R30ANL,L1Q |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4300pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SOP Advance (5x5) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 38A 8SOP | 세부 |
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TPH6R004PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 세부 |
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TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 세부 |
