TK6R7P06PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK6R7P06PL,RQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1990pF @ 30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	66W (Tc)
Рабочая Температура	175°C
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK	подробности