TK6R7P06PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK6R7P06PL,RQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	66W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-