| 品番 | TK6R7P06PL,RQ |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 46A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.7 mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 300µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1990pF @ 30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 66W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
TK6R7P06PL,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | 詳細 |
