TK20P04M1,RQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK20P04M1,RQ(S
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	20A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	985pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	27W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 10A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DPAK
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK20P04M1,RQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3	подробности
TK20P100RJE	EXSHINE	20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film	подробности
TK20P10K0JE	EXSHINE	20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film	подробности
TK20P10R0JE	EXSHINE	20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film	подробности
TK20P1K00JE	Ohmite	RES 1K OHM 20W 5% TO220	подробности
TK20P1R00JE	Ohmite	RES 1 OHM 20W 5% TO220	подробности
TK20P300RJE	Ohmite	RES 300 OHM 20W 5% TO220	подробности
TK20P30R0JE	EXSHINE	20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film	подробности
TK20P3K00JE	Ohmite	RES 3K OHM 20W 5% TO220	подробности
TK20P3R00JE	Ohmite	RES 3 OHM 20W 5% TO220	подробности