| Numero di parte | TK20P04M1,RQ(S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TK20P04M1,RQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 | Dettagli |
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TK20P100RJE | EXSHINE | 20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film | Dettagli |
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TK20P10K0JE | EXSHINE | 20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film | Dettagli |
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TK20P10R0JE | EXSHINE | 20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film | Dettagli |
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TK20P1K00JE | Ohmite | RES 1K OHM 20W 5% TO220 | Dettagli |
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TK20P1R00JE | Ohmite | RES 1 OHM 20W 5% TO220 | Dettagli |
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TK20P300RJE | Ohmite | RES 300 OHM 20W 5% TO220 | Dettagli |
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TK20P30R0JE | EXSHINE | 20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film | Dettagli |
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TK20P3K00JE | Ohmite | RES 3K OHM 20W 5% TO220 | Dettagli |
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TK20P3R00JE | Ohmite | RES 3 OHM 20W 5% TO220 | Dettagli |
